3. グラフェン　＆　シリシン（相対論的電子系）

2. 6H-SiC(0001)基板表面上へのグラフェンのエピタキシャル成長

1. グラフェンは、その特異なバンド構造のため従来のどの半導体より速いキャリア移動度や、半整数量子ホール効果など、興味深い物性を示します。
2. ただし、その応用を考えると、ウエハーサイズで大面積のグラフェンを成長できる事が必要です。 我々はこのため、 6H-SiC(0001)基板表面のSiを熱処理によって蒸発させ、表面に残ったCにより、表面にグラフェンをエピタキシャル成長させる方法を採用しています。
3. 図３は、SiC基板上にグラフェンをエピタキシャル成長させる際に、その表面構造が徐々に変化して行く事を示すLEED(低速電子線回折)像の様子を示したものです。
4. 我々は、グラフェンの物性を大きく改質する水素原子の吸着について、その吸着量や吸着サイトについてもTPD(昇温脱離スペクトル)を用いた研究を行っています。

参考文献；Y. Aoki and H. Hirayama, Appl. Phys. Lett., 95, 094103 (2009).

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