2. 超薄膜における量子効果

1. 超薄膜内に閉じ込められた電子

(図１)

（図２）

  1. Si(111) などの半導体表面にAgなどの金属薄膜を成長させた場合、電子は薄膜表面と薄膜／基板界面の間に閉じ込められ、界面垂直方向に量子化されます（図１）。
  2. 薄膜の厚さが薄い（フェルミ波長と同程度）の場合、この量子化は顕著になります。
  3. 薄膜中の量子準位は、レーザーを用いた非線形分光（光第二高長波発生：SHG）強度の、膜厚増加に対する振動を通して検出できます（図２）。
    （参考文献: M. Watai and H. Hirayama, Phys. Rev. B, 72, 085435 (2005).）
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