目次

2025年 2024年 2023年 2022年 2021年 2020年 2019年 2018年 2017年
2016年 2015年 2014年 2013年 2012年 2011年 2010年 2009年 2008年 2007年

2025年

日本物理学会2025年春季大会　2025.03.18-03.21＠オンライン

• 片野達貴、竹村晃一、加賀大暉、飯盛拓嗣、小森文夫、小澤健一、間瀬一彦、平山博之、中辻寛

  「SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのBiインターカレーション」
• 吉田陸馬、織田孝幸、神原正延、長尾俊佑、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Si(111)√3×√3-Ag 基板上のBi超薄膜の成長過程と電子状態」

2024年

第36回 相変化研究会シンポジウム (PCOS2024)　2024.11.28＠仙台・秋保温泉

• Kan Nakatsuji

  「Structural phase transition during the growth of Bi ultra-thin films on Si(111) substrates」

日本物理学会2024年春季大会　2024.03.18-03.21＠オンライン

• 織田孝幸、長尾俊佑、笹川直希、大内拓実、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Si(111)√3×√3-Ag 基板上のBi超薄膜の表面構造と電子状態」
• 河添理央、片野達貴、大島尚樹、加賀大暉、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Cu(001)基板上のPd超薄膜における合金化と電子状態」

2023年

日本表面真空学会・九州支部セミナー「半導体表面および２次元物質の新規物性」　2023.11.27＠オンライン

• 中辻寛

  「Si基板上に成長したBi(110)超薄膜の構造と電子状態」

日本物理学会2023年春季大会　2023.03.22-03.25＠オンライン

• 瓜生瞳美、長尾俊佑、平山博之、中辻寛

  「(In,Bi)/Si(111)表面の原子構造」
• 長尾俊佑、大内拓実、瓜生瞳美、織田孝幸、飯盛拓嗣、小森文夫、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3×√3-Ag 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態」
• 竹村晃一、片野達貴、河添理央、Insung Seo、飯盛拓嗣、小森文夫、小澤健一、間瀬一彦、合田義弘、平山博之、中辻寛

  「SiC(0001)基板上に成長したグラフェンへのFeインターカレーション」

2022年

The 16 th International Symposium on Atmic Level Characterization and New Materials and Devices (ALC22), Okinawa, Japan, Oct. 16-21 (2022)

• I. Seo, K. Nakatsuji, H. Hirayama, Y. Gohda

  "Electronic structure and interaction of In thin film on Si(111)√3x√3-B"

  *Excellent presentation award

The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22), Sapporo, Japan, Sept. 11-16 (2022)

• T. Kasai, T. Yamagami, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  "Bi Intercalation at the Graphene/Cu(111) Interface"
• N. Sasagawa, Y. Itakura, K. Kizaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  "Observation of the buried interface under the ultrathin In film on the Si(111)7x7 substrate; Revisit"
• T. Ogino, I. Seo, H. Tajiri, M. Nakatake, S. Takakura, Y. Sato, Y. Hasegawa, Y. Gohda, K. Nakatusji, H. Hirayama

  "Intrinsic superconductivity of two monolayer thick Indium film"
• I. Seo, K. Nakatsuji, H. Hirayama, Y. Gohda

  "Electronic structure of In ultratin films adsorbed on Si(111)√3x√3-B surfaces"

日本物理学会第77回年次大会　2022.03.15-03.19＠オンライン

• 志村舞望、潮田亮太、中辻寛、平山博之

  「二段階成長における平坦な黒燐構造Bi(110)超薄膜の成長過程」
• 笹川直希、板倉悠太、木崎京香、中辻寛、平山博之

  「Si(111)7×7基板上のIn薄膜における結晶成長と埋もれた界面の研究」
• 大内拓実、長尾俊祐、中村玲雄、竹村晃一、志村舞望、潮田亮太、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態における基板依存性」
• 永友慶、森井七生、竹村晃一、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「PdCu表面合金層の電子構造と水素曝露が及ぼす影響」
• 森井七生、永友慶、竹村晃一、河添理央、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Cu(001)c(4×2)-Bi表面の構造形成と電子状態」

2021年

The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9), Takamatsu, Japan, Nov. 28- Dec. 2 (2021)

• Insung Seo, Kan Nakatsuji, Hiroyuki Hirayama, and Yoshihiro Gohda

  ”First-principles study of In double layers on Si(111)√𝟑 × √𝟑-B substrates”
• Naoki Sasagawa, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, and Hiroyuki Hirayama

  “Structure of Bi(111) terraces nucleated on the Bi(110) island”
• Taiga Kasai, Tsuyoshi Yamagami, Kan Nakatsuji, and Hiroyuki Hirayama

  “STM observation of Bi-intercalated graphene/Bi/Cu(111)”

  *Young Researchers' award
• Maimi Shimura, Ryota Ushioda, Kan Nakatsuji, and Hiroyuki Hirayama

  “Nucleation of ultrathin Bi(110) film on the Si(111)√3×√3-B substrate in the two step growth”

2021年日本表面真空学会学術講演会　2021.11.03-11.05＠オンライン

• 大内拓実、中村玲雄、竹村晃一、志村舞望、潮田亮太、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の電子状態」
• 永友慶、森井七生、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「PdCu表面合金層の電子構造」
• 森井七生、永友慶、竹村晃一、大内拓実、瓜生瞳美、長尾俊佑、河添理央、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態」

13th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Materials and Devices (ALC’21), OnLine, Oct. 19-20 (2021).

• T. Ouchi, L. Nakamura, K. Takemura, M. Shimura, R. Ushioda, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama and K. Nakatsuji

  “Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on n-type Si(111)√3×√3-B substrates”
• Kei Nagatomo, N. Morii, K. Takemura, T. Iimori, F. Komori, H. Hirayama and K. Nakatsuji

  “Electronic structure of PdCu surface alloy”
• N. Morii, K. Nagatomo, K. Takemura, T. Ouchi, H. Uryu, S. Nagao, R. Kawazoe, T. Iimori, F. Komori,H. Hirayama and K. Nakatsuji

  “Electronic structure of Cu(001)c(4×2)-Bi surface”

日本物理学会2021年秋季大会　2021.09.20-23 @オンライン

• 志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

  「Si基板上における低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の室温アニールによる成長過程」
• 笹川直希, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)7×7基板上に低温蒸着させたビスマス超薄膜の構造相転移の臨界点におけるBi(111)テラスの構造」
• 笠井大雅, 山上剛史, 中辻寛, 平山博之

  「Biをインターカレートさせたグラフェン/Bi[2012]/Cu(111)のSTM観測」

日本物理学会第76回年次大会　2021.03.12-03.15＠オンライン

• 潮田亮太, 志村舞望, 笠井大雅, 笹川直希, 長瀬謙太郎, 中辻寛, 平山博之

  「黒燐構造Bi超薄膜の成長過程と構造相転移の蒸着レート制御」
• 志村舞望, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)表面上における黒燐構造Bi(110)超薄膜の低温蒸着による成長過程」
• 山上剛史, 中辻寛, 平山博之

  「ビスマス原子を吸着させたグラフェン/Cu(111)表面における原子構造・電子状態」
• 荻野嵩大, 田尻寛男, 中辻寬, 平山博之

  「X線CTR散乱による√7×√3-In-rect/Si(111)√3×√3-Bの界面構造の測定」
• 白澤徹郎, 潮田亮太, 中辻寛, 平山博之

  「表面X線散乱による低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の成長過程観察」
• 木村彰博, 森井七生, 佐藤圭介, 長友慶, 小澤健一, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛

  「Cu(001)表面上のFe薄膜に及ぼす酸素・窒素サーファクタントの影響」
• 中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太, 大内拓実, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛

  「n-type Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態」
• 勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一, 間瀬一彦, 小森文夫, 飯盛拓嗣, 平山博之, 中辻寛

  「Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態」
• 諸貫亮太, 大内拓実, 永友慶, 森井七生, 金野達, 白澤徹郎, 平山博之, 中辻寛

  「Si(110)3×2-Bi表面の構造解析」

2020年

日本表面真空学会学術講演会2020年　2020.11.19-11.21@オンライン

• 金野達、勝俣錬、木村彰博、中村玲雄、諸貫亮太、山崎詩郎、小澤健一、間瀬一彦、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寬

  「Si(110)3x2-Bi表面の電子状態」
• 潮田亮太、白澤徹郎、荻野嵩大、中辻寛、平山博之

  「Si(111)表面上における黒燐構造Bi(110)超薄膜の低温蒸着による成長過程」

日本物理学会2020年秋季大会　2020.09.08-09.11＠オンライン

• 白澤徹郎、Wolfgang Voegeli、荒川悦雄、高橋敏男、潮田亮太、中辻寛、平山博之

  「変形黒鱗構造Bi超薄膜の原子スケール成長機構解析」

日本物理学会第75回年次大会　2020.03.16-03.19＠名古屋大

• 潮田亮太、長瀬謙太郎、荻野嵩大、車尾ヴァレンティン基、中辻 寛、白澤 徹郎、平山 博之

  Si(111)7×7 基板上における奇数層高さBi(110)島の出現」
• 金野達、勝俣錬、木村彰博、中村玲雄、山崎詩郎、小澤健一、 間瀬一彦、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「Si(110)3x2-Bi表面の電子状態」

IMR+MAX IV 2020 workshop, IMR, Tohoku Univ., Japan, Jan. 13-15 (2020).

• Kan Nakatsuji

  “Atomic and electronic structures of Bi(110) islands grown on Si substrates”

2019年

Tokyo Tech and IIT Guwahati joint workshop, Tokyo Tech Ookayama campus, Japan, Nov. 11-12 (2019).

• Kentaro Nagase

  “Structure and Growth of Bi(110) ultra thin film”

日本表面真空学会2019年学術講演会　2019.10.28-30@エポカルつくば (つくば)

• 中辻寛

  「シリコン基板上に成長したBi超薄膜の構造と電子状態」

12th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices (ALC-19), Kyoto, Japan, Oct. 20-25 (2019)

• K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  “Structural change of Bi ultrathin films in the two-step growth on Si(111)√3 x √3-B substrates”
• T. Yamagami, S. Yotsutani, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  “Characterization of Mono- and multilayer hexagonal Boron Nitride on Cu (111) substrate”

日本物理学会2019年秋季大会　2019.09.10-09.13＠岐阜大

• 長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜の室温アニールによる構造変化」
• 山上剛史、四ツ谷壮一郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性」

21st International Vacuum Congress (IVC-21), Malmo, Sweden, July 01-05 (2019)

• Kan Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi, H. Hirayama

  “Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on a Si(111)√3×√3-B substrate”

日本物理学会第74回年次大会　2019.03.14-17@九州大学伊都キャンパス

• 田中和也、金野達、下川裕理、佐藤圭介、山崎詩郎、飯盛拓嗣、小森文夫、間瀬一彦、平山博之、中辻寛

  「Si(111)基板上におけるBi-In表面合金の構造と電子状態」
• 佐藤圭介、金野達、木村彰博、渡邊瞳、田中和也、山崎詩郎、飯盛拓嗣、小森文夫、平山博之、中辻寛

  「酸素サーファクタントを用いてCu(001)表面上に作製したFe薄膜の表面構造と電子状態」
• 菅原喜周、板倉悠太、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Si(111)基板上Ag(111)超薄膜の有効量子井戸幅評価」

2018年

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14), Sendai, Japan, Oct. 21-25 (2018).

• K. Nakatsuji, Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, K. Mase, K. Takahashi and H. Hirayama

  “Electronic Structure of Bi(110) Islands Grown on a Si(111)√3×√3-B Substrate”

日本物理学会2018年秋季大会　2018.09.09-09.12＠同志社大京田辺キャンパス

• 長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B基板上に低温吸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化」
• 菅原喜周、板倉悠太、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Ag超薄膜/Si(111)基板界面wetting layerの結晶化に伴う量子井戸準位のエネルギーシフト」

日本表面科学会　第3回関東支部講演大会　2018.04.07@東工大大岡山キャンパス

• 車尾ヴァレンティン基、荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B基板上のIn吸着表面超構造」
• 板倉悠太、菅原喜周、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果」

SPRUC顕微ナノ材料科学研究会・表面科学会放射光部会・プローブ顕微鏡研究部会合同シンポジウム　2018.03.26-27＠東大柏キャンパス（物性研）

• 長瀬謙太郎、小久保郁也、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の構造」

日本物理学会第73回年次大会　2018.03.22-03.25＠東京理科大野田キャンパス

• 吉池雄作、田尻寛男、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究」
• 下川裕理、田中和也、佐藤圭介、渡邊瞳、山崎詩郎、飯盛拓嗣、小森文夫、間瀬一彦、平山博之、中辻寛

  「Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態」
• 車尾ヴァレンティン基、荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B表面のIn吸着構造」

2017年

第６回 “次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学”研究会　2017.11.7＠科学技術交流財団研究交流センター（名古屋）

• 平山博之

  「ビスマス超薄膜の成長・構造・電子状態」

The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8), Tsukuba, Japan, Oct. 22-26 (2017)

• K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  “Even-odd-parity and electronic structure of Bi(110) ultra-thin films”
• T.Ogino, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  “Electron doping induced control of Metal-Insulator transition on Si(111)4x1-In surface”
• Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  “Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)√3×√3-B surfaces”
• K. Sugawara, K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama

  “Interaction of Image-Potential States with Quantum-Well State in Ultra-thin Ag(111) films on Si(111)√3√x3-B substrate”

日本物理学会2017年秋季大会　2017.09.21-09.24＠岩手大学

• 長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態」
• 山上剛史、高木優香、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「アンモニアボラン分子蒸着による銅表面上での六方晶窒化ホウ素の合成」
• 下川裕理、藤原翼、長瀬謙太郎、山崎詩郎、渡辺義夫、仲武昌史、間瀬一彦、高橋和敏、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態」
• 荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「キャリアドーピングによるSi(111)4xi-In表面の金属―絶縁体転移の制御」
• 石綿慈、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「グラファイト表面上のモアレ構造部分におけるdz/dVスペクトル測定」

第37回表面科学学術講演会 2017.08.17-08.19@横浜市大

• 長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Bi(110)超薄膜の膜厚偶奇性と電子状態」
• 菅原喜周、長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「Ag(111)超薄膜中の量子井戸準位と真空中の鏡像準位におけるavoided crossingの測定」
• 荻野嵩大、平山博之、中辻寛、山崎詩郎

  「Si(111)4x1-In表面における電子ドーピングによる金属―絶縁体転移の操作」

日本物理学会第72回年次大会　2017.03.17-03.20＠大阪大学

• 長瀬謙太郎, 渡辺成栄, 山崎詩郎, 合田義弘, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II)」
• 藤原翼, 下川裕理, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態」
• 菅原喜周, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B 表面上Ag(111)超薄膜のImage Potential Stateの測定」

2016年

2016年真空・表面科学合同講演会 2016.11.29-12.01@名古屋国際会議場

• 藤原翼, 長瀬謙太郎, 鈴木順也, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 平山博之, 中辻寛

  「ビスマス超薄膜の成長・構造・電子状態」

合金状態図第172委員会　第31回委員会・研究会　2016.10.22＠物質・材料研究機構

• 中辻寛, 平山 博之

  「シリコン基板に成長したビスマス超薄膜の構造と電子状態」

日本物理学会2016年秋季大会　2016.09.13-09.16＠金沢大学

• 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態」
• 石綿慈, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「フォールディングしたグラフェンの電子状態」
• 高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「液滴法によるグラフェンの作製；遠心分離の効果」

日本表面科学会 第一回関東支部講演大会　2016.04.09＠東京大学

• 吉池雄作, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B基板表面上のAg超薄膜における埋もれた界面構造のSTM/XRD測定」
• 高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「液滴法により作製した単層および多層グラフェンの光学顕微鏡・SEM・AFM観察」

日本物理学会第71回年次大会　2016.03.19-03.22＠東北学院大学

• 吉池雄作, 田尻寛男, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面のX線構造解析」
• 宍倉一輝, 吉池雄作, 鈴木順也, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 伊藤孝寛, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態II」
• 長瀬謙太郎, 藤原翼, 鈴木順也, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の偶奇性」
• 高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

  「液滴法を用いた単原子層グラフェン作製における超音波の効果」

第11回 放射光表面科学研究部会 顕微ナノ材料科学研究会 合同シンポジウム　2016.03.14-15 @ Spring8

• 中辻寛、宍倉一輝、吉池雄作、鈴木順也、山崎詩郎、渡辺義夫、仲武昌史、伊藤孝寛、間瀬一彦、平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)薄膜の電子状態」
• 平山博之、中辻寛

  「STM,ARPESによるBi薄膜の構造と電子状態の研究」

第４回あいちシンクロトロン光センター成果報告会　2016.03.09＠ミッドランドホール（名古屋）

• 平山博之，中辻寛，宍倉一輝，日比野浩樹，前田文彦、鈴木哲

  「シリコン基板上ビスマス薄膜のスピン偏極電子構造の光電子分光による解明」

第29回日本放射光学会年会　2016年1月9日～１月11日＠柏の葉カンファレンスセンター

• 宍倉一輝、吉池雄作、鈴木順也、渡辺義夫、伊藤孝寛、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)薄膜の電子状態」

2015年

第25回日本MRS年次大会 2015.12.08-10@横浜情報文化センター

• 吉池雄作、山崎詩郎、中辻寛、平山博之

  「STM imaging of buried interface for Ag/Si(111)√3x√3-B substrates」

The 15th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15),Hiroshima, Japan, Nov. 16-20 (2015).

• K. Nakatsuji et al.

  “Two-dimensional surface states of Au-induced nanowires on Ge(001)”
• Y. Takagi, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, and H. Hirayama

  “Fabrication of Monolayer Graphene Using a Liquid Droplet Method”

AVS 62nd International Symposium (AVS62), San Jose, U.S.A., Oct. 18-23 (2015).

• I. Kokubo,Y. Yoshiike, K. Shishikura, K. Nakatsuji and H. Hirayam

  “Ultra-thin Bi(110) films on Si(111)√3x√3-B substrates”

日本物理学会2015年秋季大会　2015.09.16-09.19＠関西大学

• 吉池雄作, 小久保郁也, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B基板上のBi(110)島表面に現れる再構成構造」
• 宍倉一輝, 吉池雄作, 鈴木順也, 渡辺義夫, 伊藤孝寛, 中辻寛, 平山博之

  「Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態」
• 鈴木順也, 吉池雄作, 宍倉一輝, 中辻寛, 平山博之

  「AgBi表面合金層のパッチワーク状ドメイン構造」
• 高木優香, 中辻寛, 平山博之

  「液滴を用いた単原子層グラフェンの作製」

第３回あいちシンクロトロン光センター成果報告会　2015.06.08＠あいち産業科学技術総合センター

• 平山博之，中辻寛，宍倉一輝，日比野浩樹，前田文彦

  「シリコン基板上ビスマス薄膜のスピン偏極電子構造の光電子分光による解明」

日本物理学会第70回年次大会　2015.03.21-03.24＠早稲田大学

• 吉池雄作,田尻寛男,中辻寛,平山博之

  「Ag/Si(111)界面構造がAg超薄膜表面に与える影響(3)」
• 小久保郁也，吉池雄作，中辻寛，平山博之

  「Si(111)√3x√3-B表面上のBi超薄膜の成長と構造(2)」
• 曽根準基，山上剛史，中辻寛，平山博之

  「グラフェン上のSi成長過程」

2014年

Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings, and Interfaces (PacSurf 2014), Hawaii, U.S.A. Dec.7-11 (2014).

• K. Nakatsuji

  “Low-Dimensional Electronic System on Metal Adsorbed Germanium Surfaces”

第1回「３D活性サイト科学」公開ワークショップ　2014.11.21-22＠大阪

• 吉池雄作、田尻寛男、中辻寛、平山博之

  「埋もれた界面のイメージング：Ag薄膜/Si(111)界面と薄膜表面のリップル構造」

AVS 61st international Symposium (AVS61), Baltimore, U.S.A., Nov. 9-14 (2014).

• Y. Yoshiike, I. Kokubo, Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7), Matsue, Japan, Nov. 2-6 (2014).

• Y. Yoshiike, I. Kokubo, Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

  “Periodic ripples at the surfaces of Ag ultra-thin-films on Si(111)√3x√3-B substrates”
• T. Yamagami, J. Sone, Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

  “Two-dimensional silicon layer growth on Si(111)√3×√3-Ag substrates”
• I. Kokubo, Y. Yoshiike, Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

  “A STM study of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)√3x√3-B surfaces”

日本物理学会2014年秋季大会　2014.09.07-09.10＠中部大学

• 小久保郁也、吉池雄作、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-B表面へのBi超薄膜の成長と構造」
• 吉池雄作、小久保郁也、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Ag/Si(111)界面構造がAg超薄膜表面に与える影響(2)」
• 山上剛史、曽根準基、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Si(111)√3x√3-Ag表面上のシリコンエピタキシャル成長におけるサーファクタント効果」

日本物理学会第６９回年次大会　2014.03.27-30＠東海大学

• 吉池雄作、小久保郁也、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Ag/Si(111)界面構造がAg超薄膜表面に与える影響」
• 青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「TEMとRHEEDによるPd/Ag(111)界面の格子定数評価」
• 山上剛史、曽根準基、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Ag超薄膜上におけるシリセンのエピタキシャル成長」

2013年

鏡面界面・薄膜ナノ構造研究会　2013.09.06＠京都大学

• 平山　博之

  「ナノサイエンスからの構造研究への期待」

12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12), Tsukuba, Japan, Nov. 4-8 (2013).

• J. Sone, T. Yamagami, Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

  “Epitaxial Growth of Silicene on Ultra-thin Ag Films”
• Y. Yoshiike, H. Fukumoto, Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

  “Ripples structure of Ag(111) ultra-thin films on Si(111)7x7 substrates”
• Y. Aoki, K. Nakatsuji and H. Hirayama,

  “H adsorption and absorption at epitaxially grown Pd film on Ag/Si(111)”

日本物理学会2013年秋季大会 2013.09.25-28 @徳島大

• 吉池雄作，福元博之，青木悠樹，中辻寛，平山博之

  ｢Si(111)7×7基板上Ag超薄膜表面のリップル構造｣
• 中辻寛，青木悠樹，福元博之，平山博之

  ｢Ag超薄膜とSi(111)基板との界面における水素吸着｣
• 青木悠樹，中辻寛，平山博之

  ｢Ag/Si(111)上におけるPd成長と水素吸着・吸蔵｣

19th International Vacuum Congress (IVC-19), Paris France, Sept. 9-13

• H. Hirayama, Y. Aoki, K. Nakatsuji, A. Ohshiro

  “Quasiparticle interference at epitaxial Silicene”,

Hayashi Conference, Hayama, Japan, July 16-20 (2013).

• H. Fukumoto, Y. Yoshiike, Y. Aoki, K. Nakatsuiji, H. Hirayama

  “Regular interface-induced ripples on the surfaces of heteroepitaxially grown ultra-thin films”

Collaborative Conference on Materials Research (CC3DMR)2013, Jeju, Korea, June 23-28 (2013).

• H. Hirayama

  “Quantum interference of the Rashba-induced spin-split two-dimensional surface state electrons”

日本物理学会第６８回年次大会　2013.03.26-29＠広島大学

• 福元博之、吉池雄作、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「走査トンネル顕微鏡によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の観察」
• 平山博之、大城敦也、井料佳祐、青木悠樹、中辻寛

  「エピタキシャルシリセンの電子状態」
• 青木悠樹、中島翔、中辻寛、平山博之

  「格子拡張されたPd(111)薄膜における水素吸蔵のスピノーダル転移」

第60回応用物理学会春季学術講演会　2013.03.27-30@神奈川工科大学

• 中島翔、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「面内方向に格子拡張したPd(111)/Ag(111)薄膜に特有な水素吸蔵・脱離」

2012年

20th International Colloquium on Scanning Probe Microscope (ICSPM20), Naha, Japan, Dec.17-19 (2012).

• Y.Toda, H.Hirayama, H.Hosono

  “Intrinsic surface of nano-cage compund C12A7:e-“

AVS59th International Symposium & Exibition, Tampa, USA, Oct. 28-Nov. 2, 2012.

• Y. Aoki, S. Nakajima, and H. Hirayama

  "H absorption depth profiling measurement at ultra-thin Pd(111) film by thermal desorption spectroscopy"

The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, University of Tokyo, Sep. 26-28, 2012.

• A. Ohshiro, K. Iryou, Y. Aoki, K. Nakatsuji, and H. Hirayama

  "Epitaxial growth of Silicene on ultra-thin Ag(111) films"
• S. Nakajima, Y. Aoki, K. Nakatsuji, and H. Hirayama

  "Hydrogen uptake in Pd-Ag superlattice structural thin film by thermal desorption"
• Y. Aoki, S. Nakajima, K. Nakatsuji, and H. Hirayama

  "Hydrogen chemisorption on Pd thin film by thermal desorption spectroscopy"

日本物理学会2012年秋季大会 2012.09.18-21 @横浜国大

• 福元博之、宮崎優、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Bi/Ag(111)√3×√3表面上のAg成長」
• 中島翔、青木悠樹、中辻寛、平山博之

  「Pd-Ag超格子構造ナノ薄膜における水素昇温脱離」
• 青木悠樹、中島翔、中辻寛、平山博之

  「Pd(111)/Ag(111)/Si(111)における水素昇温脱離(II)-- BG--」
• 大城敦也、青木祐樹、中辻寛、平山博之

  「Ag超薄膜上のシリシン成長」

The 29th European Conference on Surface Sciece (ECOSS29), Edingburgh, UK, Sept.3-Sept.7 2012.

• H. Fukumoto, Y. Aoki, H.Hirayama

  "Collapse of Shockley surface state by randomly adsorbed Bi atoms at Ag(111) surfaces"

新学術領域｢コンピューティクスによる物質デザイン｣研究会　2012.03.16-17＠東京大学

• 平山博之、青木悠樹、大城敦也

  ｢Ag(111)超薄 膜上のsiliceneエピタキシャル成長過程(実験） II｣

第６７回日本物理学会年次大会、2012.03.24-27 (2012)

• 福元博之、青木悠樹、平山博之

  「Bi吸着に伴うAg(111)表面電子状態の変化」
• 中島翔、青木悠樹、平山博之

  「Ag/Si(111)表面上にエピタキシャル成長させたPd(111)超薄膜における水素吸着」

第５９回応用物理学関係連合講演会、2012.03.15-18 (2012)

• 青木悠樹、中島翔、平山博之

  「Pd(111)/Ag(111)/Si(111)における水素昇温脱離」

EPFL-Titech Joint Symposium, Hakone, Japan, Jan.30-Feb.3, 2012

• H.Hirayama

  "Quantum interference of Rashba-type spin split surface state electrons"

2011年

日本表面科学会　第31回学術講演会、2011.12.15-17 @タワーホール船堀

• 戸田喜丈、平山博之、細野秀雄

  「エレクトライドC12A7:e-表面における二酸化炭素の吸着および活性化」

The 6th International Symposium on Surface Science (ISSS6), Tokyo, Japan, Dec.11-15(2011)

• Hiroyuki Fukumoto, Yuki Aoki & Hiroyuki Hirayama

  “Bi?induced change in surface state dispersion toward the Rashba spin-split upward parabolas at Ag(111) surfaces”
• Hiroyuki Hirayama, Yuki Aoki, & Chiaki Kato

  “Quantum interference of Rashba-Type Spin-Split Surface State Electrons”
• Yuki Aoki& Hiroyuki Hirayama:

  “Hydrogen chemisorption on Si(111) √3×√3R30°-Bpassivated surface”

日本物理学会2011年秋季大会、2011.09.21-24@富山大学

• 平山博之、青木悠樹、加藤千明

  「ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉（ＩＩ）」
• 青木悠樹、小此木佑太、平山博之

  「エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響」

The 28th European Conference on Surface Sciece (ECOSS28), Wroclaw, Poland, Aug.28-Sept.2 (2011)

• Hiroyuki Hirayama, Yuki Aoki, & Chiaki Kato

  “Quantum interference of Rashba-Type Spin-Split Surface State Electrons”

第５８回応用物理学関係連合講演会、２０１１.０３.２４－２７@神奈川工科大学.

• 小此木佑太、青木悠樹、平山博之

  「SiC基板上エピタキシャルグラフェンの成長過程に及ぼすB原子ドープの効果」

日本物理学会第６６回年次大会、2011.03.25-28@新潟大学

• 平山博之、石原充祥、青木悠樹、加藤千明

  「ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉」
• 青木悠樹、平山博之

  「水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察」

2010年

The 9th Japan-France Workshop on Nanomaterials, Toulouse, France, Nov.24-26, 2010.

• Y. Toda, H.Hirayama, and H.Hosono

  "Surface of Nano-porous crystal C12A7 Electride"

The 9th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces , Vladivostok, Russia, Sep. 26-30, 2010

• H. Hirayama

  "Surface structure and electronic states of ultra-thin Ag(111) films on Si(111)7x7 substrates"

第71回応用物理学学術講演会、2010.09-14-17@長崎大学

• 戸田喜丈、平山博之、細野秀雄

  「無機エレクトライドC12A7:e-の表面改質とその化学特性」
• 青木悠樹、平山博之

  「Si(111)√3x√3R30°-B表面における水素吸着」
• 加藤千明、青木悠樹、平山博之

  「Ag(111)表面上のBi吸着ストライプ構造」

18th International Vacuum Congress, Beijing, China, Aug. 23-27, 2010.

• L. Shi, Y. Aoki and H.Hirayama

  "Hydrogen transmission in ultra-thin Ag films epitaxially grown on Si(111) substrates"
• Y. Aoki, and H.Hirayama

  "H Thermal desorption at Ag/Si(111)√3x√3R30°-B surface"

日本物理学会第65回年次大会、2010.09.23-09.26＠大阪府府立大

• 青木悠樹、平山博之

  「Ag/Si(111)√3x√3R30°-B界面における水素吸着」
• 加藤千明、青木悠樹、平山博之

  「Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造」

第57回応用物理学関係連合講演会 2010.3.17-3.20＠東海大学

• 石林、青木悠樹、平山博之

  「Ag/Si((111)7x7表面のAg/Si境界面に吸着した水素」
• 小此木雄太、青木悠樹、平山博之

  「エピタキシャルグラフェンへの置換型ホールドーピング」
• 加藤千明、青木悠樹、平山博之

  「Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面へのBi原子吸着」

2009年

The 56th International Symposium of American Vacuum, Society (AVS 56), San Jose, U.S.A., Nov.8-13, 2009.

• Y. Aoki, and H. Hirayama

  "Hydrogen adsorption at surfaces of the epitaxial graphene on the 6H-SiC(0001)"

第29回表面科学学術講演会, 2009.10.27-29＠タワーホール船橋

• 青木　悠樹、平山　博之

  「グラファイト化進行中における6H-SiC(0001)表面に吸着した水素の脱離特性」

日本物理学会第64回年次大会, 2009.09.25-28＠熊本大学

• 青木　悠樹、平山　博之

  「6H-SiC(0001)再構成表面における水素脱離特性」

The 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanpstructures (ACSIN-10), Granada, Spain, Sept.21-25, 2009

• Y. Aoki, T. Sugimoto, L. Shi, and H. Hirayama

  "Hydrogen desorption from ultra-thin Ag films on Si(111) substrates"

The 26th European Conference on Surface Science (ECOSS26), Palma, Italy, Aug.30-Sept.4, 2009

• K. Sawa, Y. Aoki, and H. Hirayama

  "A STM/STS study of Shockley-type surface states at Ag(111) ultra-thin films on Si(111)7x7 substrates"

第70回応用物理学学術講演会, 2009.09.08-11＠富山大学

• 加藤　千明、青木　悠樹、平山　博之

  「Ag/Si(111)基板上に蒸着したBi表面構造のSTM観察」
• 石　林、青木　悠樹、平山　博之

  「Ag/Si(111)表面と水素原子の相互作用」
• 戸田　喜丈、平山　博之、平野　正浩、細野　秀雄

  「エレクトライドC12A7:e-表面への気体分子の吸着、脱離特性」

Yokohama, June 16-18, 2009.

• Y. Toda,Y. Kubota, M. Hirano, H. Hirayama, and H. Hosono

  "STM study of inorganic electride C12A7e-STAC3"

第56回応用物理学関係連合講演会 2009.3.30-4.2＠筑波大学

• 澤　敬一、青木　悠樹、平山　博之

  「Agナノ薄膜上のstep端および転位近傍における表面中の膜厚依存性」
• 杉本　匡、青木　悠樹、平山　博之

  「Ag/Si(111)上に吸着された水素原子の脱離特性 II｣

日本物理学会第64回年次大会 2009.3.30＠立教大学

• 澤　敬一、青木　悠樹、平山　博之

  「Si(111)基板上におけるAg(111)薄膜の表面準位に対する膜厚・転位・量子閉じ込めの影響」(30pRD-4)
• 杉本　匡、青木　悠樹、平山　博之

  ｢Ag/Si(111)上に吸着した水素原子のTPDにおけるAg膜厚効果｣(27aRD-10)

New Zealand-Tokyo Institute of Technology Seminar on Nanotechnology, Ohokayama, January 30, 200

• H.Hirayama

  "Nanostructures and their electronic states at surfaces"

2008年

Tokyo Tech-Tsinghua University Joint Symposium, Tamachi, November 19, 2008

• H.Hirayama

  "Quantum confinements at surfaces"

International Symposium on Integrated Molecular/Materials Engineering (ISIME2008), Xian, China, November 6-7, 2008.

• Y.Aoki,T.Sugimoto,H.Hirayama

  "Desorption of Atomic Hydrogen adsorbed on ultra thin Ag(111) film"

第29回表面科学講演大会 2C28, 2008.11.13-15＠早稲田大学

• 澤　敬一、青木　悠樹、平山　博之

  「Si(111)7x7基板上のAgナノ薄膜表面における電子定在波のAg膜厚依存性」

4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4), Matsue, 29B11, October 29, 2008.

• K.Sawa,Y.Aoki,H.Hirayama;

  "Surface Electron Scattering at Dislocations on Atomically Flat Thin Ag Films"

日本物理学会第63回年次大会 2008.09.20-21＠岩手大学

• 宮崎　優、平山　博之

  ｢Si(111)表面上にelectronic growth したAg超薄膜の臨界膜厚制御｣(21aXB-9)
• 関口　津加、平山　博之

  ｢Si(111)√3x√3-B表面上のGeエピタキシャル成長のSTM観察｣(20pXA-2)

第６９回応用物理学学術講演会 2008.09.05＠中部大学

• 澤　敬一、青木　悠樹、平山　博之

  「Si(111)7x7基板上のAgナノ薄膜表面における電子の定在波観察」(5a-L-9/II)
• 源　聡、平山　博之

  「Si(111)√3x√3-Ag表面上の空孔島における室温での散乱ポテンシャルの解析」(5a-L-10/II)
• 杉本　匡、青木　悠樹、平山　博之

  ｢Ag/Si(111)7x7薄膜表面に吸着された水素原子の脱離特性｣(3a-R-5/II)

2008 International Conference on Nanoscience+Technology (ICN+T2008),Keystone,CO.U.S.A, NM2-WeA4, July 23,2008.

• H.Hirayama,M.Miyazaki

  "Controlling the Magic Thickness in Electronic Growth of Atomically Flat Ag Films on Si(111) Substrates"

STAC2-STSI1, Makuhari, May 31,2008

• S.Minamoto, H.Hirayama

  "Partial wave approximation of scattering of the S1-suface state electron by an isolated adatom at Si(111)√3x√3-Ag surface at room temperature"
• Y.Toda,Y.Kubota,S.Matsuishi,T.Kamiya,M.Hirano,H.Hirayama,H.Hosono

  "Surface modification and STM study of inorganic electride C12A7e-"

COST D41 WG4 workshop (AFM/STM iamging and manipulation of insulating surface and films) London, UK, April 17,2008.

• Y.Toda,Y.Kubota,H.Hirayama,H.Hosono

  "Clean surface preparation and STM study on C12A7 electride"

第55回応用物理学関係連合講演会 2008.03.28＠日本大学理工学部　船橋キャンパス

• 関口　津加、平山　博之

  「Si(111)√3x√3-B基板上からGeエピタキシャル層へのB原子の拡散」(28a-Q-1)
• 追川　康之、平山　博

  「表面電子定在波観察によるGe/Si(001)(2xN)表面電子状態の決定」(28a-Q-2)
• 宮崎　優、平山　博之

  「Si(111)7x7水素吸着表面上におけるAg超薄膜成長」(28a-Q-3)
• 戸田　喜丈、松石　聡、神谷　利夫、平野　正浩、平山　博之、細野　秀雄

  「低仕事関数と化学的安定性を両立するエレクトライドC12A7:e-の表面改質」(29a-Y-7)

2007年

9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN9), Tokyo, Nov.11-15,2007.

• M.Miyazaki & H.Hirayama

  "A competition between quantum effect and kinetic processes in Ag thin film growth on Si(111)7x7 substrates"
• T.Sekiguchi, & H.Hirayama

  "A STM study of Ge epitaxial growth on Si(111)√3x√3-B substrates Artificial Nano-Strcutures at Si(111)√3x√3-Ag Surfaces at room temperature"

3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, Nov.8-9,2007.

• Y.Oikawa, & H.Hirayama

  "Densely Assembled Quantum Wells on Ge/Si(001) Heterepitaxial Surface"

東北大学電気通信研究所協同プロジェクト研究会, 2007.10.26@松島

• 平山　博之

  ｢Ag超薄膜のElectronic Growthにおける歪と電子系エネルギーの競合｣

日本物理学会第６2回年次大会 2007.09.21@北海道大学

• 宮崎　優、平山　博之

  ｢Si(111)表面上Ag超薄膜のelectric growthにおける量子効果とカイネティクスの競合」(21-XJ-2)

第６８回応用物理学会学術講演会 2007.09.07@北海道工業大学

• 宮崎　優、平山　博之

  「Si(111)表面上Ag超薄膜における量子効果とカイネティクスの競合」(7a-P13-4)
• 関口　津加、平山　博之

  「Si(111)√3x√3-B表面上へのGeエピタキシャル成長過程のSTM観察」(7a-P13-5)
• 佐野　宜紀、小川　百合香、平山　博之

  「低温蒸着および室温アニールによる超平坦Agエピタキシャル膜形成のSTM観察」(29p-SL-21)

nanoPHYS'07, Ookayama, Tokyo, Jan.24,2007.

• S.Minamoto,T.Ishiduka,H.Hirayama

  "Energy resolution for standing wave confined into Two-Dimensional Artificial Nano-Strcutures at Si(111)√3x√3-Ag Surfaces at room temperature"
• Y.Ogawa,Y.Sano,S.Minamoto,H.Hirayama

  "Electron Scattering by Isolated adatoms at Si(111)√3x√3-Ag Surfaces"

SSNS'07, Appi, Jan.25,2007.

• H.Hirayama

  "Quantum Confinements at Ag/Si(111) Surfaces"